IGBT電源模塊清洗液：什么是IGBT？

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　　ＩＧＢＴ由(you)柵(zha)極(ji)(ji)（Ｇ），發射(she)極(ji)(ji)（Ｅ）和集(ji)電(dian)極(ji)(ji)（Ｃ）控制。ＩＧＢＴ的(de)開關功能是通過(guo)增加柵(zha)極(ji)(ji)正向(xiang)電(dian)壓(ya)向(xiang)ＰＮＰ晶體管提供(gong)基(ji)極(ji)(ji)電(dian)流(liu)，形成一個(ge)通道使(shi)(shi)ＩＧＢＴ接通。相反(fan)，增加反(fan)向(xiang)柵(zha)電(dian)壓(ya)以消 除通道，切(qie)斷基(ji)極(ji)(ji)電(dian)流(liu)并斷開ＩＧＢＴ。當ＩＧＢＴ柵(zha)極(ji)(ji)和發射(she)極(ji)(ji)驅動正電(dian)壓(ya)時(shi)，ＭＯＳＦＥＴ導(dao)通，使(shi)(shi)ＰＮＰ晶體管集(ji)電(dian)極(ji)(ji)和基(ji)極(ji)(ji)處于低電(dian)阻狀(zhuang)態，使(shi)(shi)晶體管導(dao)通；如果ＩＧＢＴ柵(zha)極(ji)(ji)和發射(she)極(ji)(ji)之間(jian)的(de)電(dian)壓(ya)為(wei)０Ｖ，ＭＯＳＦＥＴ切(qie)斷，切(qie)斷ＰＮＰ晶體管基(ji)極(ji)(ji)電(dian)流(liu)電(dian)源，使(shi)(shi)晶體管切(qie)斷。

　　＆ｌｔ；柵極與發(fa)射極之間(jian)的電(dian)壓(ya)，即驅動電(dian)壓(ya)過低，ＩＧＢＴ不能穩定工作；如(ru)果(guo)它(ta)過高(gao)甚(shen)至(zhi)超(chao)過柵極和發(fa)射極之間(jian)的電(dian)壓(ya)電(dian)阻，ＩＧＢＴ可能會永(yong)(yong) 久(jiu)損壞。同樣，如(ru)果(guo)ＩＧＢＴ集(ji)電(dian)極和發(fa)射極之間(jian)的電(dian)壓(ya)超(chao)過允(yun)許(xu)值(zhi)，流過ＩＧＢＴ的電(dian)流也會超(chao)過允(yun)許(xu)值(zhi)，導致ＩＧＢＴ結溫超(chao)過允(yun)許(xu)值(zhi)，ＩＧＢＴ可能會永(yong)(yong) 久(jiu)損壞。

　　ＩＧＢＴ的作用

　　ＩＧＢＴ是一種功率(lv)晶體(ti)管，采用這種晶體(ti)設(she)計的ＵＰＳ可以(yi)有效的提高(gao)產品的效率(lv)，使供電質量好，效率(lv)高(gao)，熱(re)損失少，噪音低(di)，體(ti)積小，使用壽命長(chang)等(deng)優點。

　　ＩＧＢＴ主(zhu)要應(ying)用于逆變電(dian)(dian)路中。將(jiang)直流電(dian)(dian)壓轉換成(cheng)頻率(lv)可(ke)調的(de)(de)交(jiao)流電(dian)(dian)。它(ta)(ta)有(you)一(yi)個(ge)陰(yin)極(ji)(ji)，一(yi)個(ge)陽(yang)極(ji)(ji)和一(yi)個(ge)控(kong)制(zhi)(zhi)極(ji)(ji)。當它(ta)(ta)關(guan)閉時，它(ta)(ta)有(you)很多阻抗，基(ji)本(ben)上是關(guan)閉的(de)(de)。當它(ta)(ta)打(da)開(kai)時，有(you)一(yi)個(ge)非常小的(de)(de)阻力。陰(yin)極(ji)(ji)和陽(yang)極(ji)(ji)的(de)(de)連接和斷開(kai)是通過(guo)連接或斷開(kai)控(kong)制(zhi)(zhi)極(ji)(ji)來控(kong)制(zhi)(zhi)的(de)(de)。

　　選(xuan)擇ＩＧＢＴ有四個基本要求(qiu)

　　１．安(an) 全工(gong)作區域

　　在(zai)安 全(quan)方面，主(zhu)要是(shi)指(zhi)功率的(de)(de)特性，除了常規變(bian)壓(ya)器電流(liu)、ＲＢＳＯＡ（反向(xiang)偏(pian)置(zhi)安 全(quan)工作區）和(he)短路保護外。這是(shi)開關波形，這是(shi)相關的(de)(de)開關定義。在(zai)設計結溫時，要保證結溫長(chang)期(qi)運行在(zai)安 全(quan)范(fan)圍(wei)內。此保證的(de)(de)條件是(shi)提(ti)供與此模塊相關聯的(de)(de)應用程序參數(shu)。結合選定的(de)(de)ＩＧＢＴ芯片、封裝和(he)電流(liu)，計算出(chu)產(chan)品的(de)(de)功耗(hao)和(he)結溫，以滿足安 全(quan)結溫的(de)(de)需(xu)要。

　　２．熱限制

　　熱極(ji)限就是(shi)我(wo)們(men)所說的(de)脈沖(chong)功率，它(ta)(ta)(ta)在時間上很(hen)短，它(ta)(ta)(ta)可(ke)(ke)能(neng)不是(shi)一個(ge)很(hen)長(chang)的(de)工作點，它(ta)(ta)(ta)可(ke)(ke)能(neng)突然增加，然后(hou)還有(you)另一個(ge)指(zhi)標，動態(tai)熱阻(zu)，我(wo)們(men)稱之(zhi)為熱阻(zu)抗。這種波動將直接影響(xiang)ＩＧＢＴ的(de)可(ke)(ke)靠性(xing)，這是(shi)一個(ge)終身問題。你可(ke)(ke)以看到５０赫茲的(de)波動非常小，所以它(ta)(ta)(ta)有(you)很(hen)長(chang)的(de)壽命。

　　３．包裝要求

　　包裝要求主要體現(xian)在外包裝材料上(shang)，在結(jie)構上(shang)，其實也會涉及(ji)到包裝，因為在設計中會出現(xian)布局和結(jie)構問題，不同的設計有很大的差異。

　　４．可靠性要求

　　可靠(kao)性問(wen)題(ti)，他(ta)說(shuo)到(dao)(dao)結(jie)溫(wen)的(de)波動，其中比較擔心的(de)就(jiu)是結(jie)溫(wen)的(de)波動，會(hui)影響(xiang)到(dao)(dao)硅(gui)和焊接線之間的(de)結(jie)合，時間越長(chang)，兩種材料(liao)之間的(de)熱(re)阻系數(shu)本身就(jiu)不(bu)同，所以在(zai)接觸溫(wen)度波動的(de)情(qing)況下，長(chang)時間后，如(ru)果工藝處理不(bu)好，就(jiu)會(hui)出現裂(lie)紋甚至斷裂(lie)，這就(jiu)會(hui)影響(xiang)壓降(jiang)保(bao)護，從而(er)導(dao)致ICBT的(de)失(shi)效。其次(ci)是熱(re)循環，主要(yao)體現在(zai)硅(gui)片與DCB的(de)區別。如(ru)果你失(shi)敗了，你就(jiu)會(hui)分(fen)層，不(bu)同的(de)材料(liao)有(you)不(bu)同的(de)屬性，于是你會(hui)得(de)到(dao)(dao)這樣的(de)東西，失(shi)敗是很明顯的(de)。